Những thông tin dưới đây là bản tổng hợp một số tin tức nổi bật tại Hàn Quốc ngày 6/10/2022.
Triều Tiên tiếp tục bắn 2 tên lửa đạn đạo tầm ngắn nhằm phản đối việc tái khởi động tàu sân bay của Mỹ tại hải phận bán đảo Hàn Quốc
Triều Tiên đã bắn hai tên lửa đạn đạo tầm ngắn (SRBM) từ Bình Nhưỡng vào ngày 6 vào Biển Đông. Nó được phân tích là một cuộc biểu tình vũ trang phản đối việc tái phóng tàu sân bay chạy bằng năng lượng hạt nhân của Mỹ ở Biển Đông, cuộc tập trận chung giữa Hàn Quốc, Mỹ và Nhật Bản, và cuộc thảo luận của Hội đồng Bảo an Liên Hợp Quốc về tên lửa đạn đạo của Triều Tiên. Tham mưu trưởng Liên quân cho biết đã phát hiện 2 chiếc SRBM phóng từ khu vực Samseok ở Bình Nhưỡng, Triều Tiên xuống Biển Đông từ 6h01 đến 6h23 cùng ngày. Theo quỹ đạo bay, tên lửa đầu tiên có khả năng là KN-25, còn được miền Bắc gọi là "pháo phản lực cỡ nòng siêu lớn". Tên lửa thứ hai có thể là KN-23, được biết đến là tên lửa Iskander phiên bản Triều Tiên.
Samsung Electronics sẽ sản xuất hàng loạt DRAM thế hệ tiếp theo vào năm 2023 và V-NAND thế hệ thứ 9 vào năm 2024
Vào ngày 5 (theo giờ địa phương), Samsung Electronics đã công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt DRAM bộ nhớ ngắn hạn thế hệ tiếp theo và NAND bộ nhớ dài hạn. Samsung cũng công bố danh mục đầu tư chất bán dẫn hệ thống thực hiện các chức năng xử lý thông tin như tính toán đồng thời công bố chiến lược "giải pháp tích hợp fabless (công ty thiết kế chất bán dẫn)'. Tại Ngày hội Công nghệ Samsung được tổ chức ở Thung lũng Silicon, California cùng ngày, Giám đốc bộ phận bộ nhớ (memory) của Samsung Electronics Lee Jung-bae cho biết, "Chúng tôi có kế hoạch sản xuất DRAM thế hệ thứ 5 (10-nano) vào năm tới và sản xuất hàng loạt V-NAND (Vertical NAND) thế hệ thứ 9 vào năm 2024."
Copyright ⓒ 아주경제 베트남 무단 전재 및 재배포 금지
본 콘텐츠는 뉴스픽 파트너스에서 공유된 콘텐츠입니다.
지금 쿠팡 방문하고
2시간동안 광고 제거하기!
원치 않을 경우 뒤로가기를 눌러주세요
