19일 업계에 따르면 DB하이텍의 3세대 SJ MOSFET 공정은 2세대보다 저항값을 50~60% 낮춰 성능을 개선하고 칩 크기를 줄인 것이 특징이다. 전자방해잡음, 고속 스위칭, 고속 회복 다이오드, 높은 정전기 방전 등을 옵션으로 제공해 고객사의 편의를 높였다.
모스펫은 소비가전 및 각종 정보기술(IT) 기기의 전원공급장치에 적용돼 스위칭 및 신호 증폭 기능을 담당하는 핵심부품이다. 고전압, 고효율을 특징으로 하는 전자장치 보급 확산에 힘입어 수요가 늘고 있다.
DB하이텍은 현재 다양한 전압 군(500V·600V·650V·700V·800V)의 2세대 SJ MOSFET 제품을 중국, 대만, 일본 등 글로벌 제조사에 공급하고 있다. 3세대 제품을 통해 기존 가전 및 IT 기기 등에서 자동차, 산업 분야로의 진출을 가속한다는 목표다.
DB하이텍 관계자는 "향후 4세대 SJ MOSFET 제품 개발에 기술 역량을 집중해 시장 점유율을 높여갈 예정"이라며 "장기적으로는 차세대 전력반도체 솔루션을 갖춰 전기차 등의 신규 고성장 시장으로의 진출을 꾀할 것"이라고 밝혔다.
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